收藏本站
Si7425DN
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.08
4000
0.07
3200
0.06
0.05
0.04
2400
C iss
0.03
0.02
0.01
0.00
V GS = 1.8 V
V GS = 2.5 V
V GS = 4.5 V
1600
800
0
C rss
C oss
0
5
10
15
20
25
0
2
4
6
8
10
12
5
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1.4
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
4
V DS = 6 V
I D = 12.6 A
1.3
V GS = 4.5 V
I D = 12.6 A
1.2
3
1.1
2
1.0
1
0
0.9
0.8
0
5
10
15
20
25
30
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
30
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J = 150 °C
0.08
0.07
0.06
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
10
1
T J = 25 °C
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
0.00
I D = 3.5 A
I D = 12.6 A
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
1
2
3
4
5
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 72400
S-83051-Rev. D, 29-Dec-08
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SI7431DP-T1-GE3 MOSFET P-CH 200V 2.2A 8-SOIC
SI7440DP-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC
SI7447ADP-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8
SI7454CDP-T1-GE3 MOSFET N-CH 100V 8-SOIC
SI7455DP-T1-GE3 MOSFET P-CH D-S 80V PPAK 8SOIC
SI7456DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK 8SOIC
SI7457DP-T1-GE3 MOSFET P-CH D-S 100V PPAK 8SOIC
SI7460DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 60V 11A PPAK 8SOIC
相关代理商/技术参数
SI742DN 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI7430DP 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 150-V (D-S) WFET
SI7430DP_07 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 150-V (D-S) MOSFET
SI7430DP_13 制造商:VAISH 制造商全称:VAISH 功能描述:N-Channel 150 V (D-S) MOSFET
SI7430DP-T1-E3 功能描述:MOSFET 150V 26A 64W 45mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7430DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 150V 26A 64W 45mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7430DP-T1-GE3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:N CHANNEL MOSFET 150V 26A SOIC
SI7431DP_RC 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:R-C Thermal Model Parameters